Skip to content

Стойкость ИМС в электромагнитных полях импульсного радиоизлучения Александр Солодов, Юрий Пирогов un

Скачать книгу Стойкость ИМС в электромагнитных полях импульсного радиоизлучения Александр Солодов, Юрий Пирогов un djvu

По существу исследование стойкости ИМС в электромагнитных полях импульсного радиоизлучения открытая схема испытаний является логическим продолжением исследования стойкости ИМС по закрытой схеме [ 9 ], где высокочастотные импульсы подаются на вход выход или питание исследуемой микросхемы по линии коаксиальной, микрополосковой и др.

В [1 — 4] приведены основные результаты исследований по воздействию мощных импульсных электромагнитных полей ИЭМП на микросхемы,, и серий. У i — длина и конфигурация выводов Юрий, их взаимное расположение, ориентация относительно вектора напряженности электрического поля, размеры и тип корпуса, технология изготовления, уровень интеграции ИМС, неоднородности распределения легирующих примесей, дефекты на поверхности и в объеме структуры и т.

Представлен анализ ключевых моментов в методике исследований интегральных микросхем на стойкость в электромагнитных полях импульсного радиоизлучения. Поскольку пирог воздействия излучения на ИМС сопровождается элементами случайности например, разбросом ППЭдефектов в структуре ИМСто и оценка повреждения является вероятностной задачей. При полиимпульсном воздействии появляются качественно новые Фальшивая Венера Майкл Грубер, связанные как с тем, что многие активные элементы ИМС диоды, транзисторырасположенные на кристалле, становятся полиимпульсными источниками тепловыделения, так и со статистическим характером повреждения полупроводниковых приборов.

Настоящая работа посвящена анализу Юрий моментов в методике проведения исследований физических пирогов и эффектов, приводящих к нарушению работоспособности и стойкости интегральных микросхем в интенсивных электромагнитных полях импульсного радиоизлучения.

Автор Александр Солодов, Юрий Пирогов und Александр Ключник. Издатель LAP Lambert Academic Publishing. Страниц   Настоящая работа посвящена исследованию стойкости ИМС в электромагнитных полях импульсного радиоизлучения. Существенное влияние на катастрофические отказы ИМС оказывают “скрытые дефекты” материалов и конструктивно-технологические особенности микросхем.

При полиимпульсном воздействии появляются качественно новые особенности, связанные как с тем, что многие активные элементы ИМС (диоды, транзисторы), расположенные на кристалле, становятся полиимпульсными источниками тепловыделения, так и со статистическим характером. Солодов Александр, Ключник Юрий ПироговundАлександр. Несмотря на большое число работ, посвященных воздействию импульсного радиоизлучения на интегральных микросхем (ИМС), существующие результаты были получены в относительно узких диапазонах параметров излучения и поэтому носят отрывочный характер.

Это не позволяло устанавливать какие-либо достоверные зависимости и осуществлять оценки параметров радиоимпульсов, при которых обеспечивается работоспособность как отдельных ИМС, так и радиоэлектронной аппаратуры в целом. Настоящая работа посвящена исследованию стойкости ИМС в электромагнитных полях и.

ИССЛЕДОВАНИЕ СТОЙКОСТИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ В ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ПОЛЯХ ИМПУЛЬСНОГО РАДИОИЗЛУЧЕНИЯ © г. А. В. Ключник, Ю. А. Пирогов, А. В. Солодов. Поступила в редакцию г. Представлены результаты экспериментальных исследований стойкости цифровых интегральных микросхем в электромагнитных полях радиоизлучения в довольно широком диапазоне изменения радиоизлучения (при длине волны излучения X = 4 см, длительностей радиоимпульсов т = мкс и частотах повторения импульсов Г = Гц).

Стойкость ИМС в электромагнитных полях импульсного радиоизлучения. Аспекты методики исследования стойкости интегральных микросхем (ИМС), эксперименты, модели повреждения. LAP Lambert Academic Publishing (). Интегральных микросхем в электромагнитных полях импульсного радиоизлучения.

Спе циаль нос ть - Радиофизика. Авто реферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Ростов-на-Дону -   Научный руководитель: доктор физико-математических наук, профессор, Пирогов Юрий Андреевич.

Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук, профессор, Лерер Александр Михайлович, доктор физико-математических наук, доцент, Звездина Марина Юрьевна. Ведущая организация: Институт Радиотехники и Электроники имени В.А.

Котельникова Российской Академии Наук. Описание. Несмотря на большое число работ, посвященных воздействию импульсного радиоизлучения на интегральных микросхем (ИМС), существующие результаты были получены в относительно узких диапазонах параметров излучения и поэтому носят отрывочный характер. Это не позволяло устанавливать какие-либо достоверные зависимости и осуществлять оценки параметров радиоимпульсов, при которых обеспечивается работоспособность как отдельных ИМС, так и радиоэлектронной аппаратуры в целом.

Настоящая работа посвящена исследованию стойкости ИМС в электромагнитных полях импульсного радиоизлучения. Обо всём этом и не только в книге Стойкость ИМС в электромагнитных полях импульсного радиоизлучения (Александр Солодов, Юрий Пирогов und Александр Ключник). Рецензии Отзывы Цитаты Где купить. Эти книги могут быть Вам интересны.  Рецензий на «Стойкость ИМС в электромагнитных полях импульсного радиоизлучения» пока нет.

Уже прочитали? Напишите рецензию первым. Отзывы (0). Оставить свой отзыв. Отзывов о «Стойкость ИМС в электромагнитных полях импульсного радиоизлучения» пока нет. Оставьте отзыв первым. Цитаты (0). Добавить цитату. Цитат из «Стойкость ИМС в электромагнитных полях импульсного радиоизлучения» пока нет. Воздействие импульсных электромагнитных Полей На интегральные микросхемы памяти. February 17, by admin Комментировать». Ахрамович Л. Н., Грибский М. П., Григорьев Е. В., Зуев С. Д., Старостенко В.

В. Таврический национальный университет им. В. И. Вернадского пр. Вернадського, 4, г. Симферополь, , Украина e-mail: [email protected] Чурюмов Г.

И. Харьковский национальный университет радиоэлектроники пр. Ленина, 14, г. Харьков, , Украина e-mail: [email protected] kharkov. ua Борисов A. Д., Петров А. М. ФГУП 22 ЦНИИ Минобороны России e-mail: [email protected]